氮化镓（GaN）射频功率放大器：如何颠覆传统硅基器件？
氮化镓射频功率放大器凭借宽禁带、高击穿电场强度及高电子饱和迁移速度的材料特性，在功率性能上实现高功率密度与高效率输出，高频性能上克服硅基寄生电容限制，于毫米波频段保持高增益线性度；加之硅衬底氮化镓技术降本与结构工艺优化提升可靠性，逐步颠覆传统硅基器件主导的射频功率放大器格局。
毫米波技术解析：从电磁特性到高频通信
毫米波属30-300GHz频段电磁波，波长1-10毫米，具强方向性与高传播损耗特性。其短波长使天线小型化，可通过阵列天线实现高增益，但需波束成形与跟踪技术应对覆盖窄问题；大气、雨雾致传播衰减，需高功率等技术延长传输距离。凭丰富频谱与大规模MIMO，在5G等高频通信中实现高速传输，然受限于设备成本与密集基站部署。
5G RedCap：轻量化5G如何赋能物联网终端？
5G RedCap作为轻量化5G技术，通过将FR1频段带宽降至20MHz、简化天线配置、降低调制阶数、采用HD - FDD模式等手段，降低终端射频及基带处理复杂度，削减硬件成本与功耗。同时，它保持中低速率传输、低时延高可靠性能，兼容5G网络，为工业、智慧城市等多领域物联网终端提供高效连接与数据传输能力。
从理论设计到工艺实现：一文读懂射频滤波器的关键技术路径
射频滤波器作为无线通信保障信号质量的核心组件，基于电磁场与微波理论，通过电感、电容等元件网络或传输线结构实现对信号频率的选择性调控，其性能受插入损耗、带外抑制等多指标制约；在工艺实现上涵盖SMT、MEMS等技术，经测试优化后，新材料与AI技术将推动其向小型化、高性能方向持续突破。
氮化镓（GaN）推动射频技术迭代：功率效率与高频性能的双重突破
氮化镓（GaN）凭宽禁带、高电子迁移率、高临界击穿电场等特性，突破传统射频技术瓶颈。其宽禁带使器件耐压、耐高温，高临界击穿电场提升功率密度，高电子迁移率减少高频损耗，在射频功率放大器、雷达系统中实现高效高频性能，还因功率密度高减小系统体积重量，推动射频技术迭代。